反転超解像ピットおよびランドを備える光記憶媒体

专利摘要:
基板層と、基板層上のトラックに配置されるデータを持つピット／ランドデータ構造を持つデータ層と、データ層上に配置される超解像構造をもつ非線形層とを備える光記憶媒体に係る発明である。回折限界より小さいサイズを有するランド（２ＴＬ）は、ピット（ＩＬ）に反転され、補助ランドにより囲まれる（ＡＬ）。回折限界より小さいサイズ有するピット（２ＴＰ）は、ランド（ＩＬ）に反転され、補助ピットにより囲まれる（ＡＰ）。特に、光記憶媒体は、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅの相変化材料を備える読み取り専用光媒体であり、超解像効果を与える。
公开号:JP2011514612A
申请号:JP2010549158
申请日:2009-03-06
公开日:2011-05-06
发明作者:ピラール ガエル；フェリー クリストフ；ヘルツマン ハーバート；ボン；リーヴェル ラリサ
申请人:トムソン ライセンシングＴｈｏｍｓｏｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ；
IPC主号:G11B7-24

专利说明:

[0001] 本発明は、光記憶媒体に関し、特に、基板層と、データ層と、データ層上に配置される超解像構造の非線形層と、を備える光記憶媒体に関する。データ層は、特に、ピットおよびランドを備える。そして、ピットおよびランドは、データ層上に配置されたデータを読み取るピックアップの回折限界より小さいサイズを有している。]
背景技術

[0002] 光記憶媒体は、レーザおよび光学検出器、また例えば、ピックアップに組み込まれる光学検出器などの光学的に読み取り可能な方法で、データが格納される。この検出器は、光記憶媒体上のデータを読み取るときに、レーザの反射光を検出するために用いられる。一方で、多様な光記憶媒体が知られており、異なるレーザ波長で動作されるものや、１ギガバイト（ＧＢ）から５０ＧＢまでの記憶容量を備えるように、それぞれ異なるサイズを有している。フォーマットには、オーディオＣＤやビデオＤＶＤなどの読み取り専用のものや、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒなどのライトワンスの光媒体、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷなどのリライタブルの光媒体が存在する。デジタルデータは、光媒体における１以上の層でトラックに沿って光媒体に格納される。]
[0003] 高データ容量の記憶媒体には、現在、ブルーレイディスク（ＢＤ）があり、二層ディスクにおいて約５０ＧＢまで記憶可能である。ブルーレイディスクの読み取りおよび書き込みに関し、４０５ｎｍのレーザ波長および開口数が０．８５の光ピックアップが用いられる。ブルーレイディスク上でトラックピッチが３２０ｎｍであり、マーク長が２Ｔから８Ｔ、９Ｔまでのものが用いられる。ここで、Ｔは、チャネルビット長であり、２Ｔは最小のマーク長である１３８−１６０ｎｍと一致する。]
[0004] アッベの原理による光機器の空間分解能は、約lambda/2NAである。ここで、レーザ波長lambda＝405ｎｍ、開口数ＮＡ＝0.85のブルーレイ形式のピックアップに関し、lambda/２NA＝238ｎｍである。高周波（ＨＦ）データ信号を読み取るピックアップの回折限界に関し、ブルーレイディスク上でトラックのピットおよびランド上でレーザ光線を走査する際、異なる信号が検出されることにより高分解能が得られる。ＨＦ読み出し信号に関し基準となるレベルを与えることにより、ピットおよびランドの異なる反射性に従って、微小の振幅の変化を検出することができ、約lambda/４NA＝120ｎｍのサイズを有するブルーレイタイプのピックアップでピットを検出することを可能にする。]
[0005] 超解像構造を持つ新しい光記憶媒体は、ブルーレイディスクと比べて、１容量当たりで２から４倍にまでデータ密度を増大できる可能性がある。これは、光媒体のデータ層上に配置される非線形層を含むことにより可能となり、光記憶媒体の読み取りまたは書き込みに用いられる光スポットの有効サイズを効果的に縮小させる。非線形層はマスク層として知られ、これは、データ層上に配置され、特定の材料のみレーザ光線の高強度中央部がマスク層を通過させることができるからである。さらに、半導体材料は、フォーカスされたレーザ光線の中央部において高い反射性を示す、ＩｎＳｂなどからなる非線形層に用いることができる。また、中央部の反射性は、対応するデータ層のピット構造に依拠している。したがって、超解像効果は、光媒体のマークに格納されるデータの記録および読み出しを可能にする。マークは、対応する光ピックアップのlambda/４NAの回折限界より小さいサイズを有する。]
[0006] 非線形層は、しばしば、超解像近接場構造（Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ）層と呼ばれる。これは、特定の材料において、レーザ光線の有効スポットサイズを縮小する光学的効果が、データ層および非線形層の、マークおよびスペースとの間における近接場作用に基づいているからである。超解像近接場構造の光ディスクは、金属酸化物、ポリマー化合物、またはＧｅＳｂＴｅまたはＡｇＩｎＳｂＴｅを備える相変化層から形成される超解像近接場構造を備えることが知られている。]
[0007] 光記憶媒体は、基板層と、基板層上でトラックに配置されるデータのピット／ランドデータ構造を有するデータ層と、データ層上に露出される超解像構造を持つ非線形層とを備える。上記データ構造は、データを読み取るピックアップの回折限界より大きいサイズを有するピットおよびランド、を備える。また、このピットおよびランドは、回折限界より小さいサイズを有する。回折限界より小さいサイズを有するランドはピットに反転される。回折限界より小さいサイズを有するピットはランドに反転される。ピットに反転したランドおよびランドに反転したピットは、補助ランドおよび／または補助ピットにより囲まれる。超解像構造は、特に、カルコゲニド材料のような相変化材料を備え、ピックアップの高強度レーザ光線で照射される場合、「開口」型超解像メカニズムを提供する。回折限界より小さいサイズを有する反転されたピットおよびランドにより、光記憶媒体上の最小のピットおよびランドに対して反転データ構造が提供され、光記憶媒体上のデータを読み取るとき、読み出し信号の最小のピットおよびランドの反転信号の問題を解決する。これは、光記憶媒体のデータ層のトラック上に配置されるデータを正確に復号することを可能にする。]
[0008] 好適な実施形態において、反転ランドは、補助ランドによって前のピットおよび後続のピットから分離される。そして、反転ピットは、補助ピットによって前のランドおよび後続のランドから分離される。また、補助ランドおよびピットは、回折限界より小さいサイズを有する。補助ランドは、例えば１Ｔランドに相当するサイズを有する。また、補助ピットは、例えば１Ｔピットに相当するサイズを有する。また、回折ランドは、補助ピットの長さに相当する長さだけ縮小された反転ピットの前または後にある。また、回折ピットは、補助ランドの長さに相当する長さだけ縮小された反転ランドの前または後にある。回折限界より小さいサイズを有するトラックのピットおよびランドは、特に、２Ｔおよび／または３Ｔのピットおよびランドであり、回折限界は、lambda/４NAで定義される。]
[0009] 光記憶媒体は、本発明の別の態様において、マークおよびスペースとしてピットおよびランドを備えるＲＯＭディスクであり、個別のスタンパー（ｓｔａｍｐｅｒ）を用いることにより、基板表面上でピットがモールド形成またはエンボス加工されている。]
図面の簡単な説明

[0010] 光記憶媒体の断面図である。
非線形ＡｇＩｎＳｂＴｅ層および非線形ＩｎＳｂ層を備える超解像ディスクのＨＦデータ信号のスペクトル分布を示す図である。
それぞれ２Ｔのランドによって分離された２０の連続する２Ｔピットを備えるＡｇＩｎＳｂＴｅおよびＩｎＳｂの信号振幅を示す図である。
ＩｎＳｂの非線形層を備える超解像ディスクのピットおよびランドのランダム列に対する計算されたＨＦ信号を示す図である。
ＡｇＩｎＳｂＴｅの非線形層を備える超解像ディスクのピットおよびランドのランダム列に対する計算されたＨＦ信号を示す図である。
図１に示す光記憶媒体の反転された超解像ピットおよびランドを備えるデータ層と、それぞれ計算された読み取り信号とを示す図である。] 図１
実施例

[0011] 図１には、光記憶媒体１が模式的に断面図で示されている。光記憶媒体１は、例えば読み取り専用（ＲＯＭ）光記憶ディスクである。基板２上には、例えばアルミニウム層のような反射金属層を備えることが可能なデータ層３が配置されている。データ層３は、基本的に平行なトラック上に配列されたマーク（mark）およびスペース（space）からなるデータ構造を有する。ＲＯＭディスクの場合には、マークおよびスペースは、ピット（pit）およびランド(land)からなり、ピットは基板２の表面に成形または型押し加工されて、データ層３となっている。データ層３上には、第１の誘電体層５が配置され、第１の誘電体層５上には、非線形層（nonlinear layer）４が、超解像効果を利用するマスク層の機能を与えるために配置されている。非線形層４は、例えば超解像近接場構造（Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ）のような超解像構造を備えるマスク層である。光記憶媒体１は、具体的には、ＤＶＤやＣＤと同様のサイズを有する光ディスクである。] 図１
[0012] 非線形層４の上方には、第２の誘電体層６が配置されている。さらに、保護層としてカバー層７が第２の誘電体層６上に配置されている。データ層３のデータを読み取るために、本実施形態において、レーザ光線が記憶媒体１の上面から当てられ、先ずカバー層７に侵入する。第１の誘電体層５および第２の誘電体層６は、例えば物質ＺｎＳ−ＳｉＯ２を含む。基板２およびカバー層７は、ＤＶＤおよびＣＤで公知のように、プラスチック材料により構成することができる。別の実施形態では、熱効果によっては透過率を増加させないが、別の非線形効果、例えば、レーザ光線が照射されると非線形層４の反射率を増加させる効果を利用する超解像近接場構造が使用される場合には、反射金属層を省略することができる。記憶媒体１の複数の層は、具体的には積層として配置されている。]
[0013] 超解像効果は、光記憶媒体のデータの読み取りに対応する装置の回折限界よりも小さいサイズ、特に、その長さを有するピットを検出することを可能にする。相変化材料、または半導体材料を含む光ディスクの超解像検出が、非線形層４の光学的特性の局所変化に関係することが明らかになっている。例えばＡｇＩｎＳｂＴｅなどの相変化材料に関し、焦点レーザスポットに起因する温度上昇が、レーザスポットの小さな中心にだけ開口部を与える超解像効果に関係すると考えられる。このことは、材料の低熱伝導性および強い光学的非線形性から推測できる。]
[0014] この効果は、イオウや、セレンやテルルのようなカルコゲニド元素、および砒素や、ゲルマニウムや、リンやアンチモンのような１つまたは複数の電気陽性元素を含む他のカルコゲニド材料についても想定される。カルコゲニド材料は、２つの安定相、すなわち非晶質相および結晶相を示すガラスのような材料である。高強度のレーザ光線でカルコゲニド材料を加熱することによって、結晶相から非晶質相への相転移が生じる。超解像光ディスクに関し、対応する光ピックアップのレーザ光線の強度は、「開口型」超解像効果を与えるために、記憶媒体上でレーザスポットの小さな中央部に対してだけ相転移が生じるように調節される。]
[0015] さらに、超解像構造として半導体材料を含む光超解像ディスクが研究されてきており、特に、低活性化しきい値を有するＩＩＩ−Ｖ半導体、例えばＩｎＳｂに関して、良い結果が得られている。半導体材料に関しては、高い光強度のレーザ光線が電子を価電子帯から伝導帯へと移動させ、これが半導体材料の反射率を大きくすると考えられる。反射率の変化は、データ層上で、ピットまたはランドが近接場より小さく配列されているかどうかに依存する。]
[0016] データ層上に８０ｎｍのピットおよびランドの交互パターンを含むＲＯＭディスクを用いると、超解像効果を引き起こすのに十分なレーザ出力が与えられた場合、約４０ｄｂの搬送波対雑音比が、超解像構造であるＩｎＳｂおよびＡｇＩｎＳｂＴｅについて得られた。試験は、ランダムピット／ランドパターンについても行われ、半導体ベースのＩｎＳｂディスクについて、約１×１０−３のビット誤り率が得られた。しかし、相変化ベースのＡｇＩｎＳｂＴｅディスク上のデータパターンを復号することは、不可能であった。]
[0017] 超解像ディスクのランダムデータパターンに対応する高周波（ＨＦ）データ信号のスペクトル分布を検討するときに、図２に示したように、驚くべき効果が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ材料を用いたディスクについて明らかとなった。信号Ｓ１は、ＩｎＳｂ超解像ディスクのＨＦ信号のスペクトル分布であり、１０ＭＨｚより上の周波数に対して滑らかな減衰を示している。しかし、ＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化材料を用いたディスクに関しては、信号Ｓ２の約１８ＭＨｚにおいてディップ（dip）が生じ、その周波数は光ピックアップの回折限界に本質的に対応する。しかも、８０ｎｍの長さを有する２ＴのピットのＨＦ信号に対応する３０．７ＭＨｚのところでは、信号Ｓ２の振幅は、信号Ｓ１の振幅よりも約７．５ｄｂ低い。したがって、ＡｇＩｎＳｂＴｅディスクに関しては、ピックアップの回折限界を超えるサイズを有するピットおよびランドの検出と回折限界より小さなサイズを有するピットおよびランドの検出との間で干渉が生じ、これが回折限界より小さなサイズを有するピットの検出可能性を低下させている。] 図２
[0018] 信号Ｓ１およびＳ２を得るために、４０ｎｍのチャネルビット長に基づくピットおよびランドを有するランダムデータパターンの超解像ディスクが使用された。さらに、ビット誤り率が、このディスクについて測定された。この半導体ベースのディスクに関しては、１×１０−３と同等の低いビット誤り率が得られたが、ＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化材料を用いたディスクに関しては、復号することが不可能であった。その他の点では、ＡｇＩｎＳｂＴｅを用いたディスクは、高い搬送波対雑音比を示した。]
[0019] この効果をより詳細に調べるために、２Ｔ＝１００ｎｍの長さを有する２０個のピット列であって、それぞれが２Ｔのランドにより分離され、１９Ｔのランドと、１９Ｔのランドが後に続く２０Ｔのピットとの間に配列されたピット列を含む超解像ディスクが、ＩｎＳｂおよびＡｇＩｎＳｂＴｅの両方の材料で製造された。その結果を図３に示す。予想されたように、回折限界を超えるサイズを有するピットおよびランドに関して、信号振幅は、回折限界より小さなピットおよびランドに対するものよりもはるかに大きかった。ＩｎＳｂディスクの１９個の２Ｔのランドは、２個の１９Ｔのランドの高い反射率に対応して２Ｔのピットとの関係でより高い反射率を示し、信号Ｓ３、１９Ｔのランドと２０Ｔのピットとの間に２０個の２Ｔのピットが、明瞭に分解されている。] 図３
[0020] しかし、ＡＩＳＴディスクの２０個の２Ｔピット、信号Ｓ４、は、さらに悪い挙動を示している。２個の１９Ｔのランドは、やはり高い反射率を示すが、ＡｇＩｎＳｂＴｅディスクの２０個の２Ｔのランドは、ＩｎＳｂディスクの２０個の２Ｔのピット、信号Ｓ３、とは対照的に低い反射率を示す。２Ｔのピットの反転信号Ｓ４であるという理由で、ＡｇＩｎＳｂＴｅディスクに関しては、１９個の２Ｔのピットだけが分解されている。したがって、データのランダム列が与えられるときには、回折限界より小さなピットおよび回折限界を超えるピットを有すると、ＡｇＩｎＳｂＴｅディスクの場合、データを正しく復号することができない。]
[0021] この挙動を説明するために、数値シミュレーションが、開口型超解像ディスク、すなわちＡｇＩｎＳｂＴｅについて行われ、ピットおよびランドが回折限界より小さいときには、反射率はピット上で増加しランド上で減少し、ピットおよびランドが回折限界を超えるサイズを有するときには、ピットに対して減少しランドに対して増加するという結果が得られた。ピットが回折限界に対応するサイズを有するときには、材料ＡｇＩｎＳｂＴｅに関しては、大きいピットの検出に関係する回折読み取りと回折限界より小さなピットの検出に関係する超解像機構との間の競合になる。ＩｎＳｂ層を含む超解像ディスクに関し、ピットおよびランドが回折限界より小さなサイズを有するか回折限界を超えるサイズを有するかどうかには無関係に、結果は、ランドに対して反射率の増加をもたらし、ピットに対して反射率の減少をもたらすピットの回折読み取りと一致している。したがって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ超解像ディスクの２Ｔのピットの信号は、図３に見られるように、２０Ｔのピットに対して反転している。] 図３
[0022] 図４には、計算したＨＦ信号Ｓ６が、ＩｎＳｂマスク層を含む超解像ディスクに関して、ピットおよびランドのランダム列、グラフＳ５、について示されている。グラフＳ６のピットおよびランドは、示したように２Ｔから５Ｔまでのサイズを有し、ランドが論理「１」によって表され、ピットが論理「０」によって表されている。シミュレーション結果、グラフＳ６、は、回折限界を超えるサイズおよび回折限界より小さなサイズを有するピットに関し明らかに低い反射を示し、すべてのサイズのランドについては高い反射を示している。したがって、ＩｎＳｂ超解像ディスクのトラック上に配列されたグラフＳ５のデータを読み取るときに、すべてのピットを明瞭に分解することができ、その結果、ピックアップによって検出することが可能である。] 図４
[0023] 超解像層のようなＡｇＩｎＳｂＴｅマスク層を含む超解像ディスクについての状況が、図５に示されている。グラフＳ７は、図４のグラフＳ５と同じピットおよびランド列に対応する。信号Ｓ８は、ＡｇＩｎＳｂＴｅディスクについてそれぞれ計算したＨＦ信号を示す。５Ｔのランドおよび３Ｔのランドは、高い反射率に対応して高い振幅を有し、４Ｔのピットは、低い反射率に対応して低い振幅を有する。しかし、２Ｔのピットは高い反射率を示し、２Ｔのランドは低い反射率を示している。これは、上記のように、回折限界より小さなサイズを有するピットおよびランドに対する信号の反転に起因している。したがって、２Ｔのピットおよび２Ｔのランドの信号がより大きなピットおよびランド中に含まれるという理由で、これらを復号することができない。信号Ｓ８中に含まれている２Ｔのピットおよび２Ｔのランドは、分解できない。] 図４ 図５
[0024] この問題を克服するために、回折限界より小さなサイズを有するランドは、ピットに反転され、かつ補助ランドによって囲まれ、回折限界より小さなサイズを有するピットは、ランドに反転され、かつ補助ピットによって囲まれる。同様に、グループのすべてのマークについて、回折限界より小さなサイズを有する連続するランドのグループか、連続するピットのグループか、または連続するピットおよびランドのグループが、ピットおよび／またはランドのグループへと反転され、かつ補助ピットまたは補助ランドによって囲まれる。回折限界を超えるサイズを有するピットおよびランドに関する反転方式で、回折限界より小さなサイズを有するランドおよびピットを光記憶媒体上に配列することによって、相変化材料を用いた非線形層を含む光記憶媒体について前に述べた反転機構により補正される。]
[0025] 位相変化超解像光ディスクの正確な読み取りをもたらす反転したピットおよびランドを含む好適な実施形態が、図６に関係して説明される。グラフＳ９は、図４および図５のグラフＳ５およびＳ７で説明したように、対応する光ピックアップの回折限界を超えるサイズを有するピットおよびランドならびに回折限界より小さなサイズを有する２Ｔのピットおよび２Ｔのランドを含むデータの列を示す。デジタルデータＳ９の列は、本発明に従ってデジタルデータのもう１つの列Ｓ１０へと符号化される。グラフＳ９の２Ｔのランド２ＴＬは、ピットＩＬへと反転され、補助ランドＡＬによって前のピットおよび後のピットから分離されている。前のピットおよび後のピットである２つの４Ｔのピットは短くなり、ここではグラフＳ１０上で２つの３Ｔのピットによって表される。回折限界より小さなサイズを有するランドの反転読み取り信号に起因して、反転後のランドＩＬは、回折限界を超えるサイズを有するランドの高振幅に対応して高振幅を有する反射信号を生成する。したがって、グラフＳ９のデータ列のデータを読み取る際、前の４Ｔのピットおよび後に続く４Ｔのピットと、反転後のランドＩＬとは区別される。] 図４ 図５ 図６
[0026] ２Ｔのピット２ＴＰは、ランドＩＰへ反転され、補助ピットＡＰによって前のピットおよび後のピットとは分離される。前のピットおよび後のピットである３Ｔのピットおよび５Ｔのピットは、それぞれ対応して１Ｔだけ短く、光記憶媒体上で同じデータ密度を得ることができる。上記のように相変化材料を含む非線形層の反転機構のために、反転後の２ＴのピットＩＰは、グラフＳ９のデータ信号を読み取るときにピットとして検出される。したがって、３Ｔのランドと５Ｔのランドとの間の２Ｔのピットが認識され、かつ正確に復号される。グラフ１０のデータ列についての計算したＨＦデータ信号をグラフＳ１１に示す。グラフＳ１１は、反転後のランドＩＬおよび反転後のピットＩＰについての応答信号を明確に示している。]
[0027] また、反転後のピットＩＰの前と後の３Ｔのランドおよび５Ｔのランド、同様に反転後のランドＩＬの前後の４Ｔのピットは、それ自体の長さを維持することができるが、その時には光記憶媒体の記憶容量は、光記憶媒体上で使用する補助ピットおよび補助ランドの量に従って減少することとなりうる。]
[0028] 補助ピットＡＰおよび補助ランドＡＬは、とりわけ、光ピックアップの回折限界より小さくなるサイズを有し、対応する１Ｔのランドもしくは１Ｔのピットよりも大きくてもよく、または小さいことさえある。]
[0029] グラフＳ１０に示すように、２Ｔのピット２ＴＰの前にあるグラフＳ９の３Ｔのランドは、補助ピットＡＰにより、超解像領域になる２Ｔの長さに短縮される。次に、３Ｔのランドは、グラフ１０のデータ構造中に含まれるすべての２Ｔのランドが反転されなければならないので、正しく復号されないことがある。それゆえ、この状況を回避しなければならない。これは、例えば、２Ｔのピットの後に続くまたは前の３Ｔのランドを回避し、２Ｔのランドの後に続くまたは前の３Ｔのピットを回避する適切な変調を使用することによって、または３Ｔのピットおよび３Ｔのランドを何も含まない変調アルゴリズムを使用することによって処理することができる。もう１つの可能性は、２Ｔのピットおよび２Ｔのランドを３Ｔのピットおよび３Ｔのランドに拡張することである。]
[0030] 図６に関して説明したような実施形態は、対応する光ピックアップの回折限界より小さなサイズを有する２Ｔのピットおよび２Ｔのランド、ならびに回折限界を超えるサイズを有する３Ｔのピットおよび３Ｔのランド、さらにもっと大きなピットおよびランドを含む。また、３Ｔのピットおよび３Ｔのランドもまたピックアップの回折限界より小さなサイズを有するように、ピットおよびランドを設計することができる。この場合には、図６に関して説明した実施形態と一致するように、３Ｔのピットおよび３Ｔのランドも記憶媒体上で反転され、回折限界を超えるサイズを有する前のピットもしくはランドおよび／または後に続くピットもしくはランドからそれぞれのランドを補助ピットによって分離することができる。] 図６
[0031] 最小の回折マークおよびスペースの短縮に起因して、回折読み取りによる読み取りを可能にしたままで回折の限界よりも小さくなるという問題を防ぐために、補助ランドまたは補助ピットのサイズを調節することによっても、上記の問題点に対する解決策を見つけることができる。ここで、最小の回折マーク長が回折限界よりも小さくなることを防ぐために、補助ランドまたは補助ピットの最小の適用可能な長さと最大の利用可能な長さとの間のトレードオフを考慮しなければならない。]
[0032] ピットがランドの直後に続き、両者ともに回折限界より小さなサイズを有するとき、または回折限界より小さなサイズを有する複数のピットおよびランドが互いに直接続くときには、これらのピットおよびランドは、本発明に従って全てが相応に反転されるが、補助ランドおよび補助ピットは、回折限界より小さなサイズを有するランドとピットとの間にある必要がない。例えば、反転後の２Ｔのランドの後に反転後の２Ｔのピットが直接続くときには、補助ランドは、２Ｔのランドを表すピットの前にあり、その後に２Ｔのピットを表すランドが続く。２Ｔのピットを表すランドの後では、次のランドが回折限界を超えることになるサイズを有するときには、２Ｔのランドを次のランドから分離するために補助ピットが含まれる。反転後のランドとその次の反転後のピットとの間には、補助ランドは何も含まれない。]
[0033] 図６に関係して説明したようなデータ構造を有するトラックを含む光記憶媒体は、具体的には読み取り専用光ディスクである。本発明による光ディスクの製造のためには、それぞれのデータ構造が反映されている対応するスタンパが必要である。したがって、小さな補助ピットおよび補助ランドがスタンパによって光ディスク上に明確に再現されることを配慮する必要がある。補助ピットおよび補助ランドのサイズを、それゆえ、注意深く選択する必要がある。] 図６
[0034] 本発明の他の実施形態もまた、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者により利用することができる。本発明は、したがって、本明細書に添付した特許請求の範囲にある。]

权利要求:

請求項1
基板層と、前記基板層上で、トラックに配置されるデータを持つピット／ランドデータ構造を有するデータ層と、前記データ層上に配置される超解像構造を持つ非線形層と、を備え、前記データ構造は、前記データを読み取るためのピックアップの回折限界より大きいサイズを有するピットおよびランドと、前記回折限界より小さいサイズを有するピットおよびランドと、を備え、前記回折限界より小さいサイズを有するランドはピットに反転され、前記回折限界より小さいサイズを有するピットはランドに反転され、ピットに反転されたランドと、ランドに反転されたピットとは補助ランドおよび／または補助ピットにより囲まれることを特徴とする光記憶媒体。
請求項2
反転されたランドは補助ランドにより囲まれ、反転されたピットは補助ピットにより囲まれることを特徴とする請求項１に記載の光記憶媒体。
請求項3
反転されたピットの前のランド、および反転されたピットの後のランドは、前記補助ランドの長さに相当する長さだけ短縮され、かつ、反転されたランドの前のピット、および反転されたランドの後のピットは、前記補助ピットの長さに相当する長さだけ短縮されることを特徴とする請求項１または２に記載の光記憶媒体。
請求項4
前記補助ランドおよび前記補助ピットは、前記回折限界より小さいサイズを有することを特徴とする請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項5
前記補助ランドは１Ｔランドに相当するサイズを有し、前記補助ピットは１Ｔピットに相当するサイズを有することを特徴とする請求項４に記載の光記憶媒体。
請求項6
前記超解像構造は相変化材料を含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項7
前記相変化材料は、ＧｅＳｂＴｅまたはＡｇＩｎＳｂＴｅのカルコゲニド材料であることを特徴とする請求項６に記載の光記憶媒体。
請求項8
前記非線形層上にカバー層をさらに備え、レーザ光線が最初に前記カバー層を通過して動作するように設計されることを特徴とする請求項１乃至７のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項9
前記非線形層および前記データ層の間に配置される第１の誘電体層と、前記非線形層および前記カバー層の間に配置される第２の誘電体層と、を備えることを特徴とする請求項８に記載の光記憶媒体。
請求項10
前記回折限界より小さいサイズを有するトラックのピットおよびランドは、２Ｔおよび／または３Ｔのピットおよびランドであることを特徴とする請求項１乃至９のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項11
前記データを読み取るためのピックアップの前記回折限界は、λ/４NAで定義され、λはレーザ波長であり、ＮＡは前記ピックアップの開口数であることを特徴とする請求項１乃至１０のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項12
反転されたランドおよびその後の反転されたピットの間と、反転されたピットおよびその後の反転されたランドの間と、には、補助ランドまたは補助ピットが含まれないことを特徴とする請求項１乃至１１のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項13
反転されたランドは、補助ランドによって前記前のピットから分離され、かつ、補助ランドによって前記後のピットから分離され、反転されたピットは、補助ピットによって前記前のランドから分離され、かつ、補助ピットによって前記後のランドから分離されることを特徴とする請求項１乃至１１のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。
請求項14
読み取り専用の光ディスクであることを特徴とする請求項１乃至１３のうちのいずれか１項に記載の光記憶媒体。